В чем преимущества и недостатки IGCT по сравнению с другими силовыми полупроводниковыми приборами?

Преимущества IGCT по сравнению с другими силовыми полупроводниковыми приборами:

• Низкие потери во включённом состоянии и на переключение. www.gaw.ru Это достигается благодаря буферной структуре и технологии неглубокого излучателя, которые снижают динамические потери примерно на 50%. www.keyceo.com
• Возможность работать на высоких частотах — до нескольких кГц в течение очень коротких периодов времени. en.wikipedia.org
• Встроенный блок управления (драйвер), который легко фиксируется в модуле и точно соединяется с источником питания и источником управляющего сигнала через оптоволокно. www.gaw.ru
• Возможность последовательного соединения нескольких IGCT для приложений с более высокой мощностью. en.wikipedia.org

Недостатки IGCT:

• Проблематичная эксплуатация в параллельном или последовательном включении. library.e.abb.com В обоих случаях требуются пассивные или активные демпфирующие цепи, которые компенсируют разницу в моментах переключения отдельных приборов IGCT. library.e.abb.com
• Чувствительность к космическим лучам в приложениях с высокой мощностью. en.wikipedia.org