Какие методы используются для создания p-n переходов в полупроводниках?

Некоторые методы, которые используются для создания p-n-переходов в полупроводниках:

1. Вплавление примесей. ru.wikipedia.org Монокристалл нагревают до температуры плавления примеси, после чего часть кристалла растворяется в расплаве примеси. ru.wikipedia.org При охлаждении происходит рекристаллизация монокристалла с материалом примеси. ru.wikipedia.org Такой переход называется сплавным. ru.wikipedia.org
2. Диффузия примесей. ru.wikipedia.org lib.ulstu.ru В основе технологии лежит метод фотолитографии. ru.wikipedia.org Для создания диффузионного перехода на поверхность кристалла наносится фоторезист — фоточувствительное вещество, которое полимеризуется засвечиванием. ru.wikipedia.org Неполимеризованные области смываются, производится травление плёнки диоксида кремния, и в образовавшиеся окна производят диффузию примеси в пластину кремния. ru.wikipedia.org Такой переход называется планарным. ru.wikipedia.org
3. Эпитаксиальное наращивание. ru.wikipedia.org Сущность метода в том, что на кристалле разлагают некоторые химические соединения с примесью легирующих веществ. ru.wikipedia.org При этом образуется поверхностный слой, структура которого становится продолжением структуры исходного проводника. ru.wikipedia.org Такой переход называется эпитаксиальным. ru.wikipedia.org
4. Ионная имплантация. otvet.mail.ru ppt-online.org Легирующая примесь вводится в полупроводник не за счёт температуры, а путём бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией. ppt-online.org